본문으로 바로가기
Ess-neofab

ESS·배터리 라인과 시스템 관점의 공정 기록

  • 한국어
  • English
  • 홈
  • 공정
  • 시스템
  • 인터페이스
  • Traceability
  • 뉴스·동향
  • 소개
  • 문의
  • 한국어
  • English
  • 홈
  • 공정
  • 시스템
  • 인터페이스
  • Traceability
  • 뉴스·동향
  • 소개
  • 문의

카테고리

  • Traceability (22)
  • 공정 (34)
  • 뉴스·동향 (20)
  • 시스템 (32)
  • 인터페이스 (29)

최근 글

  • ACC 셀 500만 개, 명판 용량으로는 몇 달 분량일까2026년 10월 15일
  • 160 MW 배터리 시운전 6주, 기준선이 3배와 4.17배로 갈린다2026년 10월 8일
  • 하루 두 번 충·방전은 하루의 106.8 %, 잔존율 구간이 셀 물량을 1.47 GWh 가른다2026년 10월 1일
  • Battwoo의 EV 배터리 재사용 — 합격선 80 %와 퇴역 분포가 겹치면 병목은 입고 선별이다2026년 9월 30일
  • 미국 ESS 2분기, 출력은 7% 줄었는데 저장량은 사상 최대였다2026년 9월 29일
  • CATL 데브레첸 시험생산 개시 — 시험생산 기간은 설비가 아니라 목표 불량률의 자릿수가 정한다2026년 9월 29일
  • 데이터의 주인은 셀이 아닌 슬롯
    Traceability,  공정

    화성·에이징 셀 이력 연결: 트레이 ID + 슬롯 매핑이 만드는 이력 오염

    2026년 7월 11일 /

    화성·에이징 구간의 측정 데이터는 셀 ID가 아니라 설비 채널과 트레이 슬롯을 주소로 생성되므로, 셀 이력의 완전성은 측정 정확도가 아니라 '트레이 ID + 슬롯 위치 + 적재 이벤트'로 구성된 연결 키의 무결성에 의해 결정된다. 연간 약 446만 셀을 처리하는 가정 라인에서 화성 시계열은 셀당 약 1.04 MB, 연 약 4.63 TB를 차지하지만, 연결 키 레코드는 셀당 186 byte로 전체의 0.02% 미만이다. 그러나 적재 1회당 슬롯 오배치율 10 ppm만으로도 연 약 268셀의 이력이 오염되며, 한 번의 슬롯 뒤바뀜은 두 셀의 K값을 동시에 왜곡해 불량 셀 통과와 양품 셀 폐기를 짝으로 만든다. 따라서 스토리지 사이징과 이력 무결성 사이징은 별개의 설계 문제이며, 재적재 지점마다 셀 ID를 재판독하는 비용(트레이 택타임 대비 약 7.8%, 가정)이 오염…

    더 보기
    ESS-neofab 댓글이 없습니다

    당신이 좋아할 만한

    ESS 조립라인 침지냉각 병목과 병렬화 후 처리간격을 비교한 인포그래픽

    ESS 조립라인, 침지냉각이 병목이 되는 이유

    2026년 8월 20일
    팩 조립업체 이원 수주 셀 ID 트레이서빌리티 이벤트 부하 비교 — ESS 모듈 8GWh 796만 건 vs HEV 팩 0.45GWh 1,680만 건 (가정 시나리오)

    세방리튬배터리 HEV 팩·ESS 모듈 동시 수주 — 셀 인바운드 인터페이스와 셀 ID 트레이서빌리티 부하 분석

    2026년 9월 8일
    배분 키가 셀당 탄소값을 흔든다

    EU 배터리 규정 탄소발자국 방법론 채택 지연과 라인 에너지 계측 해상도: 배분 방식이 셀당 값을 얼마나 흔드는가

    2026년 7월 8일
© 2026 Ess-neofab · ESS·배터리 라인과 시스템 관점의 공정 기록
  • 소개
  • 문의
  • 개인정보처리방침
  • 면책조항
Ashe 테마: WP Royal.
This page is also available in English. Read in English →