본문으로 바로가기
Ess-neofab

ESS·배터리 라인과 시스템 관점의 공정 기록

  • 한국어
  • English
  • 홈
  • 공정
  • 시스템
  • 인터페이스
  • Traceability
  • 뉴스·동향
  • 소개
  • 문의
  • 한국어
  • English
  • 홈
  • 공정
  • 시스템
  • 인터페이스
  • Traceability
  • 뉴스·동향
  • 소개
  • 문의

카테고리

  • Traceability (22)
  • 공정 (34)
  • 뉴스·동향 (20)
  • 시스템 (32)
  • 인터페이스 (29)

최근 글

  • ACC 셀 500만 개, 명판 용량으로는 몇 달 분량일까2026년 10월 15일
  • 160 MW 배터리 시운전 6주, 기준선이 3배와 4.17배로 갈린다2026년 10월 8일
  • 하루 두 번 충·방전은 하루의 106.8 %, 잔존율 구간이 셀 물량을 1.47 GWh 가른다2026년 10월 1일
  • Battwoo의 EV 배터리 재사용 — 합격선 80 %와 퇴역 분포가 겹치면 병목은 입고 선별이다2026년 9월 30일
  • 미국 ESS 2분기, 출력은 7% 줄었는데 저장량은 사상 최대였다2026년 9월 29일
  • CATL 데브레첸 시험생산 개시 — 시험생산 기간은 설비가 아니라 목표 불량률의 자릿수가 정한다2026년 9월 29일
  • 판독률 0.45%p가 예외 10배
    Traceability,  공정

    셀 ID 레이저 DPM 판독률 99.5% vs 99.95%: No-Read가 교대당 예외 건수와 OEE에 미치는 영향

    2026년 7월 3일 /

    셀 ID 직접부품마킹(DPM)의 판독률은 판독 지점 1곳 기준의 확률이지만, 라인은 이를 셀 1개가 통과하는 판독 지점 수만큼 거듭제곱해서 경험한다. 판독 지점 12곳, 교대당 22,000셀을 가정하면 판독률 99.5%는 교대당 1,320건의 No-Read 예외를 만들고, 99.95%는 132건을 만든다. 같은 가정에서 OEE는 기준선 84.64% 대비 99.5%에서 75.50%로 9.14%p 하락하는 반면, 99.95%에서는 84.13%로 0.51%p 하락에 그친다. 따라서 DPM 사양은 "판독률 몇 %"가 아니라 "마킹 직후 검증 등급(ISO/IEC 29158) + 교대당 허용 예외 건수 + 예외 처리 인력 이용률"의 세 항목으로 정의해야 한다.

    더 보기
    ESS-neofab 댓글이 없습니다

    당신이 좋아할 만한

    계보를 끊는 건 보드 교체다

    ESS 운영 단계의 시리얼 계보: 모듈 스왑·리퍼비시·BMS 보드 교체가 Parent-Child 링크를 끊는 지점

    2026년 7월 6일
    ESS 조립라인 침지냉각 병목과 병렬화 후 처리간격을 비교한 인포그래픽

    ESS 조립라인, 침지냉각이 병목이 되는 이유

    2026년 8월 20일
    번호는 충분, 병목은 발행 결합

    중국 GB/T 34014 동력배터리 24자리 코드: 코드 구조가 라인의 발행 시점과 발행 권한을 정한다

    2026년 7월 14일
© 2026 Ess-neofab · ESS·배터리 라인과 시스템 관점의 공정 기록
  • 소개
  • 문의
  • 개인정보처리방침
  • 면책조항
Ashe 테마: WP Royal.
This page is also available in English. Read in English →