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화성·에이징 셀 이력 연결: 트레이 ID + 슬롯 매핑이 만드는 이력 오염
화성·에이징 구간의 측정 데이터는 셀 ID가 아니라 설비 채널과 트레이 슬롯을 주소로 생성되므로, 셀 이력의 완전성은 측정 정확도가 아니라 '트레이 ID + 슬롯 위치 + 적재 이벤트'로 구성된 연결 키의 무결성에 의해 결정된다. 연간 약 446만 셀을 처리하는 가정 라인에서 화성 시계열은 셀당 약 1.04 MB, 연 약 4.63 TB를 차지하지만, 연결 키 레코드는 셀당 186 byte로 전체의 0.02% 미만이다. 그러나 적재 1회당 슬롯 오배치율 10 ppm만으로도 연 약 268셀의 이력이 오염되며, 한 번의 슬롯 뒤바뀜은 두 셀의 K값을 동시에 왜곡해 불량 셀 통과와 양품 셀 폐기를 짝으로 만든다. 따라서 스토리지 사이징과 이력 무결성 사이징은 별개의 설계 문제이며, 재적재 지점마다 셀 ID를 재판독하는 비용(트레이 택타임 대비 약 7.8%, 가정)이 오염…

